在 7 月 26 日的 Intel Accelerated Webcast 活動中， Intel 如期發佈最新製程及封裝技術的進度。面對長期在 7nm 程製上落後台積電及三星的困境， Intel 決定不再以製程「節點」為新製程命名，改為仿效 CPU 的做法，以 Model Number 取代實際時脈的做法，即以 Intel 7 標示下一代 10nm 加強版製程、 Intel 4 標示首款 7nm 製程產品。
Intel 7 = 10nm
Intel 7 予人的感覺是 Intel 7nm 製程，但 Intel 認為其 10nm SuperFin 下一代技術較台積電的 7nm 製程等毫不遜色，仍採用 Intel 7 而非 Intel 10 為第 4 代 10nm 製程命名。據 Intel 方面表示， Intel 7 較現時 10nm SuperFin 每瓦效能可提升大約 10％～15％ ，將在 2021 年用於 Alder Lake (12 代 Core)、 2022 年用於 Sapphire Rapids (Xeon) 處理器。
7nm 正命為 Intel 4
至於 7nm 真命天子將名為 Intel 4 ，同時也是 Intel 首次採用 EUV 技術製作的 CPU ，預計在 2022 年下半年開始試產，並於 2023 年出貨相關產品。首款 CPU 將為 Meteor Lake 及 Granite Rapids ，其中 Meteor Lake 將採用 Intel Foveros 先進封裝技術，在一塊基板上集成 Compute Die 、 SOC-LP 及 GPU Die。另外，已知 Intel 7nm 會有改良版本 Intel 3 ，將增加 EUV 的使用比例以進一步提升效能。（編按︰半導體一般有 10 多層金屬堆疊，目前沒有硬性要求全部金屬堆疊均以 EUV 製程，以台積電 7nm 為例，用上 EUV 的層數會較少，而 5nm 用上 EUV 的比例會較高。）
2024 年才是關鍵年
在 Intel 的規劃中， 2024 年將是製程技術出現突破性發展的一年，會以 RibbonFET 和 PowerVia 這 2 個突破性技術開創埃米（ angstrom ）時代，其中 RibbonFET 為環繞式閘極（ GAA, Gate All Around ）實作成果。但筆者認為 Intel 面對的技術競爭依然是嚴峻的，因為三星表示會於 2022 年 3nm 採用 GAA 技術，台積電預計在 2nm 製程時採用， Intel 難言樂觀。
與此同時， Intel CEO Pat Gelsinger 重申摩爾定律不死，表示「對於下一個創新十年，規劃清晰的道路走向 1nm 及其未來」。
