DDR5 DRAM

三星電子宣布以 12nm 製程技術，開發出業界首款最高容量的 32Gb DDR5 DRAM 顆粒，在同樣封裝尺寸下，容量是上一代的 16Gb 顆粒的兩倍。這令生產 128GB DRAM 模塊時不需要使用矽穿孔技術，同時令功耗降低 10％。新產品還能為達到最高 1TB 容量的 DRAM 模塊鋪路。